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　　公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

　　公司负责人蔡华波、主管会计工作负责人黎玉华及会计机构负责人（会计主管人员）陈彩云声明：保证本半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

　　本报告如涉及未来计划、发展战略、业绩预测等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，投资者及相关人士均应对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。

　　公司已在本报告中详细阐述了未来可能发生的有关风险因素，详见“第三节管理层讨论与分析”之“十、公司面临的风险和应对措施”，敬请投资者予以关注。

　　（二）载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、公司会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表。

　　宁波龙熹一号自有资金投资合伙企业（有限合伙）， 公司股东，员工持股平台，曾用名：深圳市龙熹一 号投资企业（有限合伙）

　　宁波龙乙自有资金投资合伙企业（有限合伙），公司 股东，员工持股平台，曾用名：深圳市龙熹二号投 资企业（有限合伙）

　　宁波龙熹三号自有资金投资合伙企业（有限合伙）， 公司股东，员工持股平台，曾用名：深圳市龙熹三 号投资企业（有限合伙）

　　宁波龙舰自有资金投资合伙企业（有限合伙），公司 股东，员工持股平台，曾用名：深圳市龙舰管理咨 询企业（有限合伙）

　　宁波龙熹五号自有资金投资合伙企业（有限合伙）， 公司股东，员工持股平台，曾用名：深圳市龙熹五 号咨询企业（有限合伙）

　　江波龙电子（香港）有限公司/Longsys Electronics （HK）Co.,Limited，公司全资子公司

　　Lexar Enterprise，曾用名：Longsys Electronics Limited，公司全资子公司

　　上海元铭芯微电子技术有限公司，曾用名：上海江 波龙微电子技术有限公司，公司控股子公司

　　雷克沙电子（深圳）有限公司，曾用名：深圳市微 售电子有限公司，公司全资子公司

　　江波龙投资有限公司/Longsys Investment Co.,Limited，公司全资子公司

　　元预知技术（深圳）有限公司，曾用名：深圳市安 捷易创科技有限公司，公司全资子公司

　　深圳市安捷存电子有限公司，曾用名：深圳市艾尔 艾电子有限公司，公司全资子公司

　　深圳市白泽图腾科技有限公司，曾用名：深圳市江 波龙科技有限公司，公司全资子公司

　　江波龙存储科技（香港）有限公司/Longsys Storage Technology（HK）Co.,Limited，公司全资子公司

　　迈仕渡电子（香港）有限公司/Mestor Electronics (HK) Co.,Limited 。曾用名：大迈电子（香港）有限 公司/Damai Electronics（HK）Limited，公司全资子 公司

　　龙绪科技（香港）有限公司/Longthink Technology （HK）Limited，公司全资子公司

　　壹存科技（香港）有限公司/YISAVE TECHNOLOGY (HK) LIMITED,公司全资子公司

　　Zilia Technologies Indústria e Comércio de Componentes Eletr?nicos Ltda.曾用名：SMART Modular Technologies do Brasil‐Indústria e Comércio de Componentes Ltda.

　　Zilia Technologies Indústria de Componentes Semicondutores Ltda.曾用名：SMART Modular Technologies Indústria de Componentes Eletr?nicos Ltda.

　　Zilia Eletr?nicos及 Zilia Semicondutores

　　Kingston Technology Corporation（金士顿科技有限公 司），公司同行业的主要企业

　　Phison Electronics Corp.（群联电子股份有限公司）， 中国台湾证券柜台买卖中心挂牌公司，证券代码，公司同行业的主要企业

　　全球采取 IDM经营模式进行存储晶圆设计与制造的 主要企业，包括三星电子、美光科技、SK 海力士、 铠侠、闪迪等。

　　美国 Micron Technology,Inc.及其下属子公司，美国纳斯达克上市公司，股票代码 MU.O，公司主要供 应商

　　美国 Western Digital Corporation及其下属子公司， 西部数据闪存业务于 2025年 2月完成分拆，现为闪 迪 SanDisk

　　韩国 Samsung Electronics Co.,Ltd.及其下属子公司， 韩国证券交易所上市公司，股票代码 005930.KS，公 司主要供应商

　　韩国 SK Hynix Inc.及其下属子公司，韩国证券交易 所上市公司，股票代码 000660.KS，公司主要供应商

　　日本 Kioxia Holdings Corporation及其下属子公司， 存储晶圆全球主要制造商之一

　　世界半导体贸易统计公司 World Semiconductor Trade Statistics Inc.，总部注册于美国加州圣何塞的非盈利 性全球半导体贸易数据统计机构，收集并公布半导 体产业净贸易数据并提供产业预测

　　灼识行业咨询有限公司，独立第三方及由本公司聘 请编制行业报告的市场研究公司

　　JEDEC固态技术协会，固态及半导体工业界的一个 标准化组织，制定固态电子方面的工业标准

　　集成电路（Integrated Circuit），通称芯片（Chip）， 是一种微型电子器件或部件。采用半导体制造工 艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电 感等元件及它们之间的连接导线全部制作在一小块 半导体晶片（如硅片或介质基片）之上，然后焊接 封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的电子 器件。

　　具备信息存储功能的半导体元器件，广泛应用于各 类电子产品中，是数据或程序的硬件载体。

　　Firmware，出厂预设在存储器中，运行在闪存控制 器内部的程序代码，担任着存储器中协议处理，数 据管理和硬件驱动等核心工作。如 SSD固件包括传 输协议处理、逻辑管理算法、数据加密和保护、闪 存驱动、介质保护、异常处理和设备健康管理等功 能，对存储器设备的功能、性能、可靠性、寿命等 关键指标具有重要影响。

　　Flash Memory Controller，一种专用的微型处理器， 一般采用高性能低功耗的 RISC指令架构运行固件代 码进行系统管理和调度，提供专用闪存驱动模块和 高速 DMA数据通道进行闪存介质的驱动和高速数据 传输，其特定的外部接口和协议处理模块负责和主 机之间的通讯交互并决定了存储产品的形态和类 别。

　　随机存取存储器（Random Access Memory），存储单 元的内容可按需随机取出/存入，且存取的速度与存 储单元的位置无关。RAM断电时将丢失存储内容， 是易失性存储器，主要用于短时间内存储临时数 据。

　　动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory），RAM的一种，每隔一段时间要刷新充电 一次以维持内部的数据，故称“动态”。

　　双列直插内存模块（Dual Inline Memory Module）， DRAM内存模组的主流规格之一。

　　只读存储器（Read-Only Memory），一种非易失性存 储器，即存储器断电后数据不会丢失。

　　快闪存储器（Flash Memory），是一种非易失性（即 断电后存储信息不会丢失）半导体存储芯片，具备 反复读取、擦除、写入的技术属性，属于存储器中 的大类产品。

　　嵌入式多媒体存储器（Embedded Multimedia Card），一种内嵌式存储器标准及基于该标准的产 品，主要应用于手机、平板电脑等移动电子终端。

　　多芯片封装（Multiple Chip Package），将两种以上的 存储芯片通过堆叠等方式封装在一个封装体内。

　　基于 eMMC的多制层封装芯片(eMMC-based multi- chip package)，一种集成封装 eMMC和 LPDDR的多 制层封装芯片。

　　基于 UFS的多制层封装芯片(UFS-based multi-chip package)，一种集成封装 UFS和 LPDDR的多制层封 装芯片。

　　通用闪存存储（Universal Flash Storage），是一种内 嵌式存储器的标准规格和符合该标准的存储产品。

　　Application Specific Integrated Circuit的简称，是一种 为专门目的而设计的集成电路，是指应特定用户要 求和特定电子系统的需要而设计、制造的集成电 路，分为全定制和半定制两种。

　　固态硬盘（Solid State Disk），区别于机械磁盘，用 固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，一般包括控 制器（Controller）和存储器（Flash及 DRAM），存 储单元负责存储数据，控制单元承担数据的读取、 写入。

　　安全数码存储卡（Secure Digital Memory Card），一 种基于 NAND Flash 的存储设备。

　　双倍数据速率（Double Data Rate），是美国 JEDEC 协会就 SDRAM产品制定的行业通行参数标准。

　　低功耗双倍数据速率（Low Power DDR），是美国 JEDEC协会就低功耗 SDRAM产品制定的行业通行 参数标准。

　　经过特定工艺加工、具备特定电路功能的硅半导体 集成电路圆片，经切割、封装、测试等工艺后可制 成 IC成品。

　　包括电路功能定义、结构设计、电路设计及仿真、 版图设计、绘制及验证，以及后续处理过程等流程 的集成电路设计过程。

　　把从晶圆上切割下来的集成电路裸片（Die），用导 线及多种连接方式把管脚引到外部接头处，然后固 定包装成为一个包含外壳和管脚的可使用的芯片成 品，以便与其它器件连接。

　　System In Package，系统级封装，一种集成电路芯片 封装技术。

　　Chip Probing的缩写，也称为晶圆测试或中测，是对 晶圆级集成电路的各种性能指标和功能指标的测 试。

　　Final Test的缩写，也称为芯片成品测试或终测，主 要是完成封装后的芯片进行各种性能指标和功能指 标的测试

　　集成电路制造过程中，以晶体管之间的线宽为代表 的技术工艺，其技术水平意味着在同样面积的晶圆 上，可以制造出更多的芯片；或者同样晶体管规模 的芯片会占用更小的面积。

　　Integrated Device Manufacturer，垂直整合制造商， 代表垂直整合制造模式，指业务范围涵盖芯片设

　　存储单位，MB指 Megabyte（兆字节，简称“兆”）， GB指 Gigabyte（吉字节，又称“千兆”），TB指 Terabyte（太字节），PB指 Petabyte（拍字节），EB 指 Exabyte（艾字节），ZB指 Zettabyte（泽字节）， Byte是计算机信息技术用于计量存储容量的一种计 量单位。换算关系为 1GB=1,024MB， 1TB=1,024GB，1PB=1,024TB，1EB=1,024PB， 1ZB=1,024EB。

　　Surface-mount Technology表面贴装技术，将无引脚 或短引线表面组装元器件安装在印制电路板表面或 其它基板表面上，通过回流焊或浸焊等方法加以焊 接组装的电路装连技术。

　　小型化压缩附加内存模组（Small Outline Compression Attached Memory Module），是一种采用 LPDDR与 CAMM技术，专为 AI数据中心设计的低 功耗内存模块产品。

　　压缩附加内存模组（Compression Attached Memory Module），经 JEDEC协会确认的内存模块尺寸标 准。

　　Micro SSD，指公司采用系统级封装（SiP）技术的 新型 SSD产品。该产品在不降低产品性能的前提 下，将控制芯片、存储芯片、无源元件以及不同功 能的集成电路集成在一个封装体内，实现比传统 PCBA SSD更高的集成度、更好的物理特性和更优 的综合成本。

　　存储处理单元（Storage Processing Unit），指公司自 研的采用超融合芯片架构的存储控制芯片。该芯片 集成智能处理和存储控制能力，支持存内压缩、超 大容量存储及 Hybrid NAND智能调度等功能，与存 储智能软件架构协同工作，可优化终端设备的内存 使用效率。

　　键值缓存（KV cache），是一种在大模型推理过程 中，缓存模型各层为历史词元计算得到的键（Key） 和值（Value）张量，以供后续注意力计算复用、减 少重复计算并提高生成效率的机制。

　　检索增强生成（Retrieval-Augmented Generation， RAG），是一种在大模型生成回答前，从外部知识库 中检索相关信息，并将检索结果作为上下文提供给 模型，以提高生成内容的事实准确性、时效性和领 域适用性的技术机制。

　　注：本报告列示表格部分合计数与各明细数直接相加之和在尾数上如有差异，是由于四舍五入所造成。

　　公司注册地址、公司办公地址及其邮政编码、公司网址、电子信箱等在报告期是否变化 □适用 ?不适用

　　公司注册地址、公司办公地址及其邮政编码、公司网址、电子信箱等在报告期无变化，具体可参见 2025年年报。

　　公司披露半年度报告的证券交易所网站和媒体名称及网址，公司半年度报告备置地在报告期无变化，具体可参见2025年年

　　1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用

　　公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

　　2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用 ?不适用

　　公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。

　　将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项

　　2026年以来，随着 AI数据中心建设加速，企业级存储需求大幅攀升，半导体存储市场快速增长，存储价格进入明显上

　　行通道。根据 CFM闪存市场数据，2026年一季度全球存储（DRAM/NAND Flash）市场规模达 1,371.4亿美元，环比增长

　　受益于 AI相关应用以及数据中心基础设施建设带来的巨大存储需求，存储市场快速增长。根据 WSTS发布的 2026年

　　春季预测，全球半导体存储市场规模将从 2025年的 2,300亿美元增长到 2026年的 8,039亿美元，同比大幅增长 249.5%；全

　　球半导体存储市场将在 2027年继续增长，市场规模进一步提升至 10,621亿美元，同比继续增长 32.1%。

　　公司正持续向综合型半导体存储品牌企业转型，聚焦于半导体存储应用产品的全链条能力建设，形成芯片设计（包括

　　主控芯片及存储芯片）及固件算法开发、封装测试等核心能力。公司主营业务在存储器基础上，已拓展至主控芯片设计、

　　存储芯片设计等集成电路设计领域，实现了更全面的市场布局和更深度的产业链协同。

　　存储芯片的设计与制造产业具有很高的技术和资本门槛，半导体存储技术的诞生及演进特点，决定了全球存储芯片市

　　场长期由韩国、美国和日本的少数企业主导，但以长江存储、长鑫存储为代表的国内存储芯片厂商在技术进步和产能扩张

　　方面持续展现出强劲的发展势头。伴随 AI服务器存储需求的快速增长，全球存储原厂正加速将产能与经营重心向企业级存

　　储市场倾斜，并转而通过深化产业链协同、生态合作等外延方式，来维系与拓展在其他细分领域的市场份额。原厂业务重

　　心的结构性调整，正为国内具备全链条综合能力的独立存储厂商释放出巨大的发展契机。

　　随着全球数字化步伐的加快，对智能化服务的需求急剧上升，尤其是在大模型训练、推理等关键 AI技术领域，全球

　　云服务提供商纷纷加大 AI服务器等基础设施投入，推动服务器市场整体迅速增长。根据 CFM闪存市场预测，2026年全球

　　随着 AI数据中心消耗的 token（词元）数量呈指数级上涨，在 AI推理的应用中，存储正从“辅助角色”转变为制约

　　推理效率的“关键瓶颈”，KV Cache和 RAG对存储形成大量新增需求，在这种内外部需求的交织下，大模型推理正驱动存

　　储架构向高带宽、大容量、多层次协同的方向深度演进。AI数据中心将成为全球存储产业未来发展的核心动力之一，根据

　　CFM闪存市场预测，2026年服务器 DRAM Bit需求同比增长 61%，含 HBM在内的服务器 DRAM需求占比将达到约 62%；

　　相较于需求旺盛的数据中心市场，端侧市场面临明显的存储资源竞争压力。受存储成本上行压力影响，智能终端设备

　　厂商正采取灵活的竞争策略，包括但不限于调高产品售价、适配不同存储配置等，这在一定程度上导致智能终端市场的竞

　　争态势出现分化，加大了市场的复杂程度以及传统智能终端业务的波动。与此同时，随着大模型技术和芯片等软硬件技术

　　的发展，本地大模型的规模化、商业化部署正在逐步铺开，并呈现出快速发展的势头。具备买球平台本地大模型的智能终端设备有

　　望在近期实现批量化销售，这使得端侧市场因为新技术、新产品的出现而酝酿着潜在的换机需求。由于端侧市场对产品的

　　配置、用户使用习惯等要素与传统智能终端市场有所不同，端侧市场整体呈现明显的高低端分化特征。

　　对于智能手机市场而言，随着存储芯片持续供不应求和价格上涨，中低端机型明显承压，根据 IDC数据，2026年第二

　　季度全球智能手机出货量为 2.775亿部，同比下降 6.7%，但高端品牌逆势提升，部分头部手机厂商 Q2出货量与市场份额仍

　　实现正向增长。端侧 AI应用上，头部厂商将自身资源集中于端侧多模态模型的轻量化与深度推理能力建设，在保障数据安

　　全的前提下，追求 AI终端的个性化与定制化。IDC预计，2026年中国新一代 AI手机出货量将达到 1.47亿台，同比增长

　　对于 PC市场而言，受存储芯片持续供不应求和价格上涨影响，2026年第二季度全球 PC出货量为 6,820万台，同比下

　　降 4.9%。由于 PC具有强大的计算和存储能力、丰富的交互方式以及广泛的应用场景，能够同时满足个人大模型普及的各

　　项要求，使其成为适合承载大模型的理想平台。头部 PC厂商逐渐铺开 AI PC产品矩阵，得以覆盖更广泛的消费群体。根据

　　更广泛范围内的普及以及在众多实际场景中的落地应用，开辟了全新的发展路径。根据 IDC预测，2026年全球智能眼镜市 场出货量预计将突破 2,368.7万台，其中中国智能眼镜市场出货量将突破 491.5万台，市场正式迈入规模化增长新阶段。 （二）主营业务 公司主要业务为存储器和主控芯片的研发设计、封装测试、技术支持与存储器销售。公司通过覆盖芯片设计（主控芯 片及存储芯片）、固件算法开发、存储器设计、封装测试等存储关键环节的全栈式技术能力，为市场提供消费级、企业级、 车规级、工规级存储器以及行业存储软硬件应用解决方案。 公司主要业务与核心竞争力 公司拥有行业类存储品牌 FORESEE、海外行业类存储品牌 Zilia和国际高端消费类存储品牌 Lexar（雷克沙）。公司产

　　品广泛应用于端侧 AI设备、AI服务器、数据中心、汽车电子、物联网、安防监控、工业控制等领域，以及个人消费类存

　　公司 FORESEE品牌产品布局公司 Lexar品牌产品布局 （三）主要产品

　　公司面向端侧 AI设备、AI服务器、数据中心、具身智能、汽车、价值消费类电子、工业（安防、监控等）等应用场

　　景，为客户提供高性能、高品质、创新领先的半导体存储产品。目前，公司拥有嵌入式存储、固态硬盘、移动存储和内存

　　主控芯片是存储器的核心器件，其与配套固件算法一起，负责 NAND闪存颗粒的数据管理，以及与 CPU进行数据通信，实现数据管理、坏块管理、数据纠错、寿命均衡、垃圾回收等功能，直接关系到存储器的性能、可靠性和稳定性。进

　　入 AI大模型时代，“内存墙”的物理限制与高昂的内存成本，已成为大模型在端侧 AI广泛应用的重要阻碍。在公司与产业

　　生态伙伴共同推动下，主控芯片的系统定位正经历深刻重塑，从数据读写控制单元，演进为弥合算力与内存物理落差的智

　　公司已推出采用同等先进制程的 SPU（Storage Processing Unit，存储处理单元）芯片，该芯片集成存储控制引擎与智

　　主控芯片，并支持 128TB的 SSD单盘最大容量。SPU芯片搭配公司独有的存储智能软件架构，能够大幅提升端侧 AI大模

　　型的模型规模上限。基于与 AMD的联合调优，在 AI移动工作站及 AI PC平台的测试数据显示，搭载公司智能软硬件架构

　　的设备，相比传统存储方案，AI PC端模型规模提高约 3.2倍，内存利用效率提升约 200%，这一技术将为 AI PC在普通个

　　公司依托自研 UFS主控与紫光展锐联合调优，在紫光展锐平台的实测数据显示，4GB DDR搭载公司智能软硬件架构技

　　术后，终端响应时间接近 6GB/8GB DDR正常配置水平，在保障端侧 AI设备体验和器件使用寿命的前提下，能够大幅优化

　　在高端主控芯片领域，公司实现了 UFS 4.1、UFS 3.1、UFS 2.2等多款主控芯片及关键核心技术的突破。就 UFS 4.1主

　　控芯片而言，全球仅有包括存储晶圆原厂在内的少数企业具备该款主控芯片的设计能力，而公司推出的 UFS 4.1主控芯片

　　进一步采用领先于产业主流的 5nm制程工艺，搭载该主控芯片的 UFS 4.1产品整体性能优于市场可比产品，已实现规模化

　　SLC NAND Flash等特定型态的存储芯片，适用于对存储产品有高可靠性要求的应用场景，如网络通信设备、安防监控

　　系统、物联网设备及便携消费电子产品。公司自研存储芯片在生产过程中采用端到端质量管理，实现芯片级别的可追溯性

　　及卓越的产品可靠性，DPPM低于 100。公司已成功开发 192Mb到 8Gb之间的多款 SLC NAND Flash存储芯片，并积极扩

　　展至其他存储芯片产品线。公司存储芯片研发精准定位长尾市场，通过自研核心技术抢占高可靠性存储细分赛道，与晶圆

　　原厂形成错位竞争。公司构建的从存储芯片设计到存储器的全链条能力，为后续拓展更广泛的存储产品线及进入更高门槛

　　UFS、eMMC是应用于智能手机、智能穿戴设备、平板电脑等领域的大容量 NAND Flash嵌入式存储器，特别是作为智

　　公司持续保持自研主控与自研固件的技术优势，对 UFS标准的嵌入式存储器持续投入研发。基于自研 UFS 4.1主控芯

　　片，公司 UFS 4.1产品的多项性能超越市场同类产品，并支持在 UFS中同时使用混合存储介质（hybrid），能够有效的平衡

　　TLC和 QLC介质各自的特点。公司正有序提升自身的各类 UFS产品，特别是搭载公司自研主控芯片的 UFS存储器在公司

　　整体嵌入式业务中的占比，力求在从 eMMC向 UFS过渡的关键时期，稳固并持续保持自身在市场中的领先地位。

　　作为成熟可靠的存储产品，eMMC在对性能稳定性有较高要求、同时又注重成本效益的应用场景中，仍然占据着大量

　　的市场份额。公司依托自研 eMMC主控芯片与固件技术，于 2024年率先实现 QLC eMMC产品的量产出货，是全球极少数

　　具备 QLC eMMC量产能力的企业。该产品在读写性能上对标主流 TLC eMMC，同时凭借更大的容量和更具竞争力的成本

　　优势，能够有效替代传统 TLC eMMC解决方案。目前，该产品已成功应用于知名品牌厂商的多款终端产品，为公司巩固

　　报告期内，公司已正式发布车规级 UFS 4.1存储产品，该新品搭载自研 5nm制程工艺高性能主控，顺序读取速度高达

　　时间，为用户带来流畅顺滑的车机交互体验。车规级 UFS 4.1采用 11.5×13×1.2mm标准封装尺寸，并提供 128GB至 512GB

　　容量选择，充分满足智能驾驶数据日志、高清地图、AI大模型推理等车载场景的大容量存储需求，车规级 UFS 4.1凭借高

　　带宽与大容量特性，能够为新一代智能汽车的差异化体验提供坚实的存储硬件基础。

　　超小尺寸 eMMC及 ePOP主要是面向尺寸受限的穿戴类产品应用场景，开发的小尺寸及高集成嵌入式存储器；ePOP将

　　存储芯片贴片于 CPU表面以减少电路板面积占用，适用于智能 AI/AR眼镜、智能手表、智能手环、耳机等可穿戴设备。

　　公司在 CES 2026、MWC 2026上正式发布面向 AI智能穿戴、轻薄便携终端的新一代集成存储产品 ePOP5x，为公司在

　　端侧 AI存储领域的前瞻性战略布局。ePOP5x由公司旗下元成苏州自主封测，在保持与上一代 ePOP4x相同 8mm×9.5mm标

　　准尺寸的前提下，封装厚度继续缩减，最薄可以做到仅 0.52mm。根据公司内部测试，ePOP5x的 DRAM传输速率高达

　　8533Mb/s，较上代提升 100%，可高效支撑 AI/AR智能眼镜、智能手表等设备的端侧 AI应用、多任务并发与高速数据交互。

　　产品支持 64GB+16Gb、64GB+24Gb、64GB+32Gb等多容量组合配置，具备低功耗、高集成、高可靠性等特性，精准匹配

　　下一代穿戴设备对轻薄化、高性能、长续航的核心需求。ePOP5x已进入方案适配、客户验证、性能验证与市场导入阶段。

　　公司已经推出超薄 ePOP4x及超小尺寸 eMMC，产品采用创新的研磨切割工艺，由公司旗下元成苏州自主封测，产品

　　尺寸上显著小于市场主流产品。超薄 ePOP4x将 eMMC闪存与 LPDDR4x内存“合二为一”，其最大厚度仅为 0.6mm，相比

　　上一代 0.8mm厚度产品减少了近 25%；超小尺寸 eMMC面积比标准 eMMC减少了约 65%，极大提升了设备的便携性。公

　　司超小尺寸 eMMC及 ePOP精准匹配 AI穿戴设备对存储小型化与高性能的双重需求，目前已应用于众多国际国内头部厂商

　　LPDDR是低功耗的 DRAM存储器，主要应用于智能手机、平板电脑等功耗限制严格的消费电子产品。

　　报告期内，公司已经正式发布 AILPBGA，该产品采用自研技术标准与创新架构，单颗原生 256bit位宽设计，带宽可达

　　307GB/s，容量覆盖 24GB~64GB，AILPBGA对比标准 LPDDR5x，其位宽、性能、容量均高出数倍。AILPBGA全面适配LPDDR标准接口，无需重构 SoC和系统架构，大幅缩短终端研发与落地周期，有助于降低适配成本。AILPBGA采用低功

　　耗设计，不仅可大幅削减设备能耗，有效延长 AI推理终端、边缘大模型设备续航时长。AILPBGA采用 22×22mm的BGA1764紧凑封装设计，体积小巧、集成度高，可灵活适配 AI推理、中轻量模型部署等紧凑型终端。

　　紫光展锐、Amlogic等平台认证，基于领先的存储芯片测试能力和品控能力，在智能手机、平板电脑、机顶盒、车载导航

　　等领域获得行业优质客户青睐。公司紧跟 LPDDR应用市场的脚步，在 LPDDR4X供应紧张的情况下仍力争更好地服务客

　　户，LPDDR5/5X产品也已经大面积量产并成为交付主力，为后续 LPDDR6新品开发做好相应准备。

　　公司车规级 LPDDR4已通过车规测试标准体系 AEC-Q100认证，可实现最低-40℃、最高+105℃的宽温域作业，LPDDR4产品已在多个汽车客户处完成产品验证，并开始量产出货。

　　流接口，应用于服务器、笔记本、台式机、一体机、视频监控、网络终端等领域，公司近年来持续拓展企业级和高端消费

　　量，不仅能够实现高效交付，还能灵活兼容 M.2 2280、2242及 2230等主流规格。为攻克小体积、高性能的散热痛点，公

　　司将 VC相变液冷散热应用在 mSSD上，设计出专属高效散热方案，根据公司内部测试，PCIe Gen5 mSSD的高效散热方案

　　度契合了 AI PC对极致性能与紧凑形态的苛刻要求，公司也在积极将其向具身智能等高端应用场景拓展，提供高抗震/高可

　　靠性的存储解决方案。截至本报告发布之日，mSSD已成功通过多家全球知名 PC品牌厂商的认证，并实现规模化的量产导

　　公司已经推出了多款高速企业级 eSSD产品，覆盖 480GB至 7.68TB的主流容量范围，支持 1DWPD（每日整盘写入次

　　数）和 3DWPD的耐用性选项，产品外形涵盖 2.5英寸到 M.2的多种规格。企业级 PCIe SSD具备多档功耗调节、无感在线

　　固件升级、多命名空间以及可变 Sector Size等先进功能，通过支持 Telemetry、Sanitize、RAID、全路径端到端数据保护等

　　企业级特性，提升数据存储的安全性和可靠性。公司的企业级 PCIe SSD与企业级 SATA SSD两大产品系列已成功完成与鲲

　　鹏、海光、龙芯、飞腾、兆芯、申威等多个国产 CPU平台服务器的兼容性适配，为在主流平台上的广泛应用提供了坚实的

　　速度高达 7000MB/s，通过优化数据传输速率和系统响应速度，能够大幅缩短等待时间。

　　公司内存条产品线系列规格，涵盖消费级、工业级、企业级内存条，产品容量从 4GB到 256GB，

　　广泛应用于个人电脑、教育/金融智能系统、银行/医院自助终端、网络终端、大型会议中心、安防监控、交通/通讯、小型

　　报告期内，公司已发布 AIDIMM，该产品作为针对 AI计算深度优化的内存，凭借最高 128GB容量、256bit位宽、307.2GB/s超高带宽及紧凑体积，能有效解决当前智能体主机普遍存在的内存容量不足、算力任务卡顿、散热困难、升级不

　　便等核心难题。该产品采用 4颗 LPDDR5x同面布局设计，布线简洁，搭载的高速率、高密度、高针脚数连接器可适配主流

　　智能体主机的主板架构，无需对现有硬件进行大幅改造，从而降低客户硬件升级成本。AIDIMM产品支持 0.9V-1.05V动态

　　调压，搭载 FDVFS智能能效优化机制，可针对端侧 AI推理、大模型运行等不同负载场景，智能调节电压与运行状态，实

　　现 AI负载下精细化动态功耗管理，有效提升端侧 AI整体场景能效比，大幅降低整机运行发热，为 AI PC、智能体主机提

　　在鲲鹏、海光、飞腾等多个国产 CPU平台实现服务器兼容性验证，适用于电信、金融、互联网等各类场景。针对目前 AI

　　加速落地情况，公司积极抓住存储行业新的发展趋势，已点亮 SOCAMM产品，结合 MRDIMM、LPCAMM2、CAMM2、CXL2.0内存拓展模块补齐未来产品版图，提供持续的服务客户能力。

　　公司 SOCAMM产品采用 LPDDR5X技术，提供 128位 I/O位宽，并集成存储控制器与内存单元，根据公司内部评估数据，SOCAMM的带宽、延迟、功耗显著优于 DDR5 RDIMM，能大幅加速 AI训练和推理任务的数据吞吐。公司 SOCAMM产品支持高密度服务器部署，单模块可达 128GB，满足大模型训练需求，依托于 LPDDR5X的低电压特性，SOCAMM产品

　　将显著降低数据中心能耗，并结合近 CPU布局，全面突破传统 RDIMM的带宽、延迟瓶颈及高温痛点。基于 SOCAMM的

　　明显优势，相关产品在未来 AI服务器及 AI的应用上有望得到广泛的应用。

　　公司完成了 8800/12800系列 MRDIMM产品的开发验证，可以实现最高至 256GB MRDIMM产品。根据行业数据，MRDIMM多路复用的特性可以提升产品约 2倍理论带宽，并有效降低约 40%延迟，具备无需更改主板，可兼容 RDIMM产

　　品的良好兼容性，能有效降低数据中心 TCO成本。在未来 AI需求持续增长的市场环境下，MRDIMM将会越来越多扩宽到

　　AI训练/推理、HPC、内存数据库、大数据分析、高频交易等带宽与延迟敏感场景。

　　消费类内存条产品上，Lexar推出 ARES RGB DDR5战神之刃二代，数据传输速率最高可达 6800MT/s，支持 RGB光效

　　设计，用户可以通过 Lexar Sync软件自定义灯光效果。根据灼识咨询资料，Lexar ARES RGB DDR5台式机内存系列是市场

　　移动存储指 USB闪存盘、存储卡及便携式移动固态硬盘等便携式移动存储器，主要应用于安防监控、车载应用、高清

　　公司在移动存储产品线已经推出多款移动产品，为 ODM/OEM客户提供更多更好的新产品、新解决方案选择：在 USB

　　产品线上，公司已成功推出基于自研主控的车载数据备份盘，用于行车记录以及哨兵模式，满足车辆环境对电磁干扰

　　（EMI）防护及宽工作温域等严苛要求，产品相较于行业主流产品，读取速度高约 20%，功耗低约 40%，广泛应用于国内

　　外多家知名新能源汽车品牌；在 SD Express产品线上，公司已推出全新高性能 SD Express产品，读速最高可达 880MB/s，

　　容量涵盖 256GB至 1TB，已被高端游戏、高清摄像等应用领域采用；公司还推出了多款移动固态硬盘（PSSD）产品，读

　　写性能最高达到 2000MB/s，全局写性能达到 1GB/s，实现三防、AES等级加密等定制化需求。

　　公司旗下国际高端消费类存储品牌 Lexar推出多款移动存储旗舰产品。在 PSSD领域，Lexar发布了 NFC加密移动固态

　　硬盘，搭载江波龙自研主控芯片，将 NFC加密技术融入移动固态硬盘之中，通过 NFC协议，可与用户手机等设备实现唯

　　一配对，全方位守护用户隐私数据安全；Lexar发布了 ES5磁吸移动固态硬盘，读取速度最高达 2000MB/s，支持 4K 120fps

　　高写速拍摄，可以通过磁吸在手机背面，方便用户单手操作手机。在存储卡领域，Lexar推出了 PLAY PRO microSDXC

　　注：主要产品介绍中，部分产品性能数据来源于公司内部实验，实际性能表现因设备配置、使用不同存在差异。

　　公司聚焦于半导体存储应用产品的全链条能力建设，形成了芯片设计及固件算法开发、封装测试等核心能力。公司根

　　据市场需求确定产品方案，在自研主控、自研固件核心能力的基础上，精确匹配原厂存储晶圆或者自研存储芯片，通过自

　　有的封测产能或者外协封测厂，最终完成存储器产品的封装测试，并实现批量供应。基于近年来成功实践，创新的 TCM与

　　PTM商业模式已深度融入公司的经营理念，并已内化至公司与上下游企业的长期合作中。

　　TCM模式以实现上游存储晶圆原厂和核心大客户直接供需拉通为出发点，以确定性的供需合约为基础，公司依托自身

　　技术领先优势最优化满足原厂和核心大客户商业诉求。公司 TCM模式打通了存储价值链的多个环节，共同构建起存储资源

　　透明化、综合服务定制化、交付效率最大化、交易成本最低化的全新合作生态，降低晶圆价格波动及产业相关风险，体现

　　公司的核心技术优势，提升公司技术产品及服务的综合竞争力及业绩贡献度，帮助公司实现竞争优势。

　　在 PTM模式下，公司依托覆盖产品设计、存储芯片及主控芯片设计、固件开发、封装测试等整个存储产品价值链的垂

　　直整合能力，为重要客户提供端到端的全栈定制服务与支持，满足 IDM（集成设备制造商）通常难以实现的独特定制需求。

　　通过提供全栈式服务，PTM模式使公司能够提升定价能力，并维持较为稳健的盈利水平。

　　B2C市场均拥有独立品牌的中国公司，旗下各品牌长期稳居全球及区域多个细分品类的前列，2025年公司荣获国家级制造

　　公司聚焦存储产品的品质提升与产品创新，持续投入研发资源，在存储芯片设计、主控芯片设计、固件开发、存储芯

　　片测试、集成封装设计等方面积累了一系列核心技术能力。公司依托长期积累形成的综合技术实力，形成丰富齐备的产品

　　线，覆盖半导体存储器的各类应用场景，产品性能和品质获得行业类客户及消费者市场的广泛认可。

　　报告期内，公司实现营业收入 240.88亿元，同比增长 136.26%；实现归属于上市公司股东的净利润 105.77亿元，同比

　　增长 71,528.66%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 100.47亿元，同比增长 31,096.33%。

　　公司持续推进主控芯片在中高端存储产品上的深度应用，截至本报告发布之日，公司自主设计的主控芯片已累计生产

　　超 2.8亿颗。公司自研的 5nm先进制程的 UFS 4.1主控芯片凭借卓越性能，与多家核心晶圆原厂达成深度的生态合作，并实

　　现规模化应用，搭载自研主控芯片的 UFS 4.1产品已量产出货，将进一步扩大公司的行业领先地位。

　　公司已推出了采用同等先进制程的 SPU芯片。SPU芯片的 NAND I/O可达 4800MT/s，高于市场采用 6-12nm制程的PCIe 5.0 SSD主控芯片。SPU芯片搭配公司独有的存储智能软件架构（iSA?），能主动感知数据温度、适配工作负载节奏，

　　将 DRAM中的温冷数据，迁移至 SSD的缓存区，让设备在不增加 DRAM配置的前提下，承载更大规模的本地 AI模型。在

　　AI全产业普遍面临内存成本高企问题的背景下，相关软硬件产品生态具备广阔的市场应用前景。

　　报告期内，企业级存储业务收入达到 21.40亿元，同比增长 208.80%。公司继续深化在 AI服务器、数据中心领域的存

　　储业务布局，企业级存储产品已成功导入部分头部互联网企业、服务器厂商的供应链体系中。

　　报告期内，公司进一步强化了海外市场开拓，Zilia实现对外销售收入 39.50亿元，同比增长 184.58%。报告期内，公司

　　全球品牌影响力持续提升，Lexar在以往高增长的基础上，全球销售收入达到 39.66亿元，同比增长 84.90%。

　　自 2025年第三季度以来，在 AI相关应用及数据中心基础设施建设对存储的庞大需求支撑下，半导体存储市场进入快

　　速扩张期。在云端市场上，AI模型的训练与推理伴随着密集的数据读写，拉动了 AI服务器及数据中心对大容量、高带宽

　　及高可靠性存储器产品的需求。在端侧市场上，AI手机、AI电脑、智能汽车、AI可穿戴设备及具身智能设备的推出，使

　　本地数据生成、模型执行及实时交互不断增加，对存储器的性能、功耗及尺寸提出了更为严苛的新要求。在此背景下，存

　　储器已不再仅仅是被动的数据载体，而是逐渐演化为 AI运行的关键基础设施。

　　在 AI时代，下游客户面临着 DRAM容量瓶颈、高昂的存储成本、高延迟、高功耗以及微型化等诸多系统级难题，除

　　了存储晶圆外，主控芯片、固件算法、封装测试、散热及系统级优化等环节，在决定存储产品性能和稳定性方面的重要性

　　正日益凸显。通过将主控芯片与固件算法的协同设计，融合缓存管理、数据压缩、冷热数据分层管理等关键算法，并开展

　　基于目前消费级产品大容量、高性能、定制化、低功耗的趋势，公司在端侧 AI存储领域继续深耕先进技术，依靠自研

　　主控、自研固件、自主封测等优势能力，推出了 UFS 4.1、超薄 ePOP、超小尺寸 eMMC等新型嵌入式产品。公司新一代超

　　薄 ePOP及超小尺寸 eMMC，基于公司旗下元成苏州的高端封测能力，实现了同一性能和容量标准下更高的集成度。公司

　　ePOP产品已经批量应用于北美智能穿戴科技巨头的智能穿戴设备中；依据第三方公开评测数据，公司产品也同时应用于小

　　米、阿里夸克、XREAL、Rokid等国内外头部厂商的智能可穿戴产品，包括但不限于智能眼镜、智能手表产品中。基于公

　　司 UFS 4.1产品的性能优势，公司已与多家原厂达成合作，面向移动及 IoT市场推出定制化的高品质 UFS产品及解决方案，

　　搭载自研主控芯片的 UFS 4.1产品已实现规模化的商业应用，将进一步扩大公司在超高端存储领域的领先地位。

　　公司已推出了采用自主高难度系统级封装（SiP）技术的 mSSD产品，将控制芯片、存储芯片、无源元件（电阻、电容

　　等）以及不同功能的集成电路集成在一个封装体内，大幅压缩了 mSSD的体积，极大简化了 PCBA分离式 SSD的复杂生产

　　流程，省去了 PCB贴片、回流焊等多道 SMT环节，具备明显综合成本优势。公司 mSSD功耗满足 NVMe协议的低功耗要

　　求，无需工具即可灵活拓展为主流规格，灵活适配 PC笔电、游戏掌机扩容、无人机、VR设备等不同类型的应用需求。

　　近年来，Lexar在产品和设计上不断创新突破，并屡获国际权威媒体和机构的高度认可，Lexar率先在行业推出了金属

　　SD存储卡，打破了长期以来存储卡塑料材质的局限；Lexar的 CF express Type B钻石卡在 2023和 2024连续两年收获全球

　　近 100万美元的众筹基金；Lexar专业车载 U盘，目前已经成为众多新能源知名车企核心车型的出厂标配。

　　公司子公司 Zilia作为巴西头部存储器厂商，已构建完善的海外供应链体系，与半导体存储全球头部客户、半导体存储

　　原厂建立了长期合作关系，在巴西与南美市场拥有深厚影响力。公司整合自身技术和测试能力，与 Zilia领先的封装测试制

　　造能力结合，构建了全球化与国内产能并重、自主产能与委外产能并行的制造格局，打造能够应对新时代国际环境变化的

　　报告期内，公司企业级存储业务继续高速增长，企业级存储业务收入达到 21.40亿元，同比增长 208.80%。公司是国内

　　少数具备“eSSD+RDIMM”产品设计、组合以及规模供应能力的企业，在 eSSD与 RDIMM产品组合基础上，已成功点亮

　　SOCAMM产品，结合 MRDIMM、CXL2.0内存拓展模块构建了全面的企业级产品体系。公司的 eSSD与 RDIMM产品已成功完成鲲鹏、海光、飞腾等多个国产 CPU平台服务器的兼容性适配，DDR5 RDIMM产品也通过了 AMD旗下 Threadripper

　　在前期完成众多平台和客户验证基础之上，2024年以来公司企业级业务进入快速增长阶段，客户涵盖运营商、大型及